1、輻射源頭分析

     該PCB上有一個(gè)12MHz的晶體。其中超標頻點(diǎn)恰好都是12MHz的倍頻，而分析該機器容易EMI輻射超標的屏和攝像頭，發(fā)現LCD-CLK是33MHz，而攝像頭MCLK是24MHz。

    通過(guò)排除法，發(fā)現去掉攝像頭后，超標點(diǎn)依然存在，而通過(guò)屏蔽12MHz晶體，超標點(diǎn)有降低，由此判斷144MHz超標點(diǎn)與晶體有關(guān)，PCB布局如下：

2、輻射產(chǎn)生原理

      從PCB布局可以看出，12MHz的晶體正好布置在了PCB邊緣，當產(chǎn)品放置于輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時(shí)，被測產(chǎn)品的高速器件與實(shí)驗室中參考地會(huì )形成一定的容性耦合，產(chǎn)生寄生電容，導致出現共模輻射，寄生電容越大，共模輻射越強；而寄生電容實(shí)質(zhì)就是晶體與參考地之間的電場(chǎng)分布，當兩者之間電壓恒定時(shí)，兩者之間電場(chǎng)分布越多，兩者之間電場(chǎng)強度就越大，寄生電容也會(huì )越大，晶體在PCB邊緣與在PCB中間時(shí)電場(chǎng)分布如下：

     從圖中可以看出，當晶振布置在PCB中間，或離PCB邊緣較遠時(shí)，由于PCB中工作地（GND）平面的存在，使大部分的電場(chǎng)控制在晶振與工作地之間，即在PCB內部，分布到參考接地板的電場(chǎng)大大減小，導致輻射發(fā)射就降低了。

3、處理措施

     將晶振內移，使其離PCB邊緣至少1cm以上的距離，并在PCB表層離晶振1cm的范圍內敷銅，同時(shí)把表層的銅通過(guò)過(guò)孔與PCB地平面相連。經(jīng)過(guò)修改后的測試結果頻譜圖如下，從圖可以看出，輻射發(fā)射有了明顯改善。

4、思考與啟示

    高速的印制線(xiàn)或器件與參考接地板之間的容性耦合，會(huì )產(chǎn)生EMI問(wèn)題，敏感印制線(xiàn)或器件布置在PCB邊緣會(huì )產(chǎn)生抗擾度問(wèn)題。 如果設計中由于其他一些原因一定要布置在PCB邊緣，那么可以在印制線(xiàn)邊上再布一根工作地線(xiàn)，并多增加過(guò)孔將此工作地線(xiàn)與工作地平面相連。